5nm芯片集體“翻車” 5nm芯片集體“翻車”有哪些潛在原因
極客灣數據，在某款游戲的測試中，玩了20分鐘后，小米11背面溫度達到了48℃，而搭載驍龍865的小米10在相同的測試環(huán)境下，溫控表現更好只有41℃。
芯片表現需要考慮綜合因素。但人們仍更傾向于將驍龍888的“翻車”歸咎于三星的工藝。理由是，性能提升和功耗控制更好一些的蘋果A14和麒麟9000均出自臺積電之手。而高通在權衡之下，選擇了三星獨家代工。
在芯片代工領域，臺積電一直是全球市場的老大，三星常年屈居次席，而在市場份額上更是遠遠落后。根據市場報告顯示，臺積電2020年獨占54%芯片代工市場份額，而三星份額只有17%。
有人質疑高通是因為“圖便宜踩了坑”。但也有報道顯示，高通之所以將驍龍888交給三星代工，主要原因是“為了保穩(wěn)定量產”，由于臺積電絕大部分5nm產能都供給了蘋果，高通才因此投奔了三星。
事實上，高通之外，由臺積電代工的蘋果A14也因掉電過快遭到消費者吐槽，華為麒麟9000的集成GPU功耗同樣面臨著居高不下的問題。
先進芯片是不是噱頭？
一位芯片行業(yè)人士告訴AI財經社，理論上5nm的漏電功耗比7nm更低。但由于“集成了更多的晶體管，累計漏電功耗（靜態(tài)）反而更高，因此，在用戶體驗上反而更差，與設計的芯片復雜度有關”。
資料顯示，集成電路的功耗分為動態(tài)功耗和靜態(tài)功耗。動態(tài)功耗是電路狀態(tài)變化時產生的功耗，靜態(tài)功耗則是指晶體管泄露電流產生的功耗。雖然每個晶體管泄漏產生的功耗很小，但因數量龐大，累積的靜態(tài)功耗難以想象。
集成電路工藝發(fā)展至今，高功耗、高發(fā)熱一直是無法根治的問題。FinFET工藝是針對這一問題的解決手段之一。FinFET源自于傳統標準的晶體管的創(chuàng)新設計，中文稱為鰭式場效應晶體管。根據百科，FinFET的架構設計，可以大幅改善電路控制并減少漏電流。
但有媒體報道，伴隨著晶體管尺寸的進一步縮小，FinFET工藝漏電問題再次出現。
